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瑞禧类球形CdTe＠SiO2＠BCP香豆素量子点CND/SiQDs修饰二氧化硅
今天小编分享分散性良好的量子点修饰二氧化硅，一起看看吧：
以MPA为稳定剂,在加入MPA搅拌5 min后,将镉前驱体溶液的pH值调节至10,迅速加人新制NaHTe溶液,加热至100 ℃.10 min后,加人400 uL TEOS,氮气保护下回流8h,得到酒红色溶液,用无水乙醇纯化离心,置于恒温箱中干燥保存。之后,80 uL APTES 和100 uLTEOS被加到反应容器,暗室中搅拌反应12 h.
向合成的CdTe@Si02QDs的反应容器中,加入2mg新合成的1,9一双(7-香豆素氧基)-3,7-二硫杂壬烷,搅拌反应8 h.加40 mL丙酮使产物沉淀,5000 rpm下离心15min,先后用乙醇和水清洗三次,35℃下真空干燥,得到CdTe@Si02@BCP产品。
用扫描电子显微镜(SEM)观察量子点的形貌,结果如图所示。从图中可以看出, CdTe@ Si02@BCP的形貌呈类球形,粒径分布较均匀;结构致密，分散性好。
量子点又可称为半导体纳米晶体，目前报道的主要是由Ⅱ-V族(如 MgS、CdSe.ZnTe、HgSe)和Ⅲ-V族(如 GaAs、InGaAs、InP、InAs)元素组成的均一或核/壳结构(如CdS/HgS/CdS)纳米颗粒。由于光谱禁阻的影响，当这些半导体纳米晶体的直径小于其玻尔直径(一般小于10nm)时,就会表现出其独有的理化和光谱性质。
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