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产品名称
中文名称: Graphenea石墨烯场效应晶体管芯片S31
英文名称：Graphene Field-Effect Transistor chip S31


性质
芯片尺寸：10mm x10mm
芯片厚度 ：525μm
每个芯片的GFET数量：30
栅氧化层厚度（EOT）：20nm
栅极氧化物材料：Al2O3
Dirac点：＜5 V
良率  ：＞75%
石墨烯场效应迁移率：＞600cm2/V.S


应用
石墨烯器件研究，化学传感器，生物传感器，生物电子学，磁传感器，光电探测器。

其他信息
原链接：https://eu.graphenea.com/collections/buy-gfet-models-for-sensing-applications/products/gfet-s31-for-sensing-applications?variant=41684756988093
常温干燥避光密封保存。最长保存期限6月。