产品名称 中文名称: Graphenea石墨烯场效应晶体管芯片S31 英文名称：Graphene Field-Effect Transistor chip S31 性质 芯片尺寸：10mm x10mm 芯片厚度 ：525μm 每个芯片的GFET数量：30 栅氧化层厚度（EOT）：20nm 栅极氧化物材料：Al2O3 Dirac点：＜5 V 良率 ：＞75% 石墨烯场效应迁移率：＞600cm2/V.S 应用 石墨烯器件研究，化学传感器，生物传感器，生物电子学，磁传感器，光电探测器。
其他信息 原链接：https://eu.graphenea.com/collections/buy-gfet-models-for-sensing-applications/products/gfet-s31-for-sensing-applications?variant=41684756988093 常温干燥避光密封保存。最长保存期限6月。 详情请发邮件至：1525990437@qq.com |
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