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二硒化钨WSe2 WSe2是一种间接带隙~1.3eV的半导体，单层WSe2具有直接带隙。 这些层通过vanderWaals相互作用堆积在一起，可以剥离成薄的2d层。 二硒化钨属于V族过渡金属双卤代烷(TMDC)。 晶体尺寸: ~10mm 电学性能: 半导体，p-type (n-type is also available) 晶体结构: 六边形(Hexagonal) 单位单元参数: a = b = 0.328 nm, c = 1.298 nm, α = β = 90°, γ = 120° 纯度:>99.995 % http://hqgraphene.com/WSe2.php 价格：10000元/盒