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    多壁碳纳米管垂直阵列 单晶硅基底

    作者：多壁碳纳米管垂直阵列 单晶硅基底 发布时间：2022-09-02 18:04:50 次浏览

    中文名称: 多壁碳纳米管垂直阵列 英文名称：Aligned arrays of MWCNTs   性质 形态：黑色块状物 参数 高度：50 – 1000µm 壁数：3-7 碳管直径：3- 10nm 纯度：98% 密度：≤0.3 g/cm3 比表面积：～20 m2/g 电导率：103 S/m 基底：单晶硅 备注：高度随机   应用 NA
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